• Kapcsolat

  • Hírlevél

  • Rólunk

  • Szállítási lehetőségek

  • Hírek

  • 0
    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide by Schroeder, Uwe; Hwang, Cheol Seong; Funakubo, Hiroshi;

    Materials, Properties and Devices

    Sorozatcím: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials;

      • 20% KEDVEZMÉNY?

      • A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
      • Kiadói listaár EUR 313.99
      • Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

        133 194 Ft (126 851 Ft + 5% áfa)
      • Kedvezmény(ek) 20% (cc. 26 639 Ft off)
      • Discounted price 106 555 Ft (101 481 Ft + 5% áfa)

    Beszerezhetőség

    Még nem jelent meg, de rendelhető. A megjelenéstől számított néhány héten belül megérkezik.

    Why don't you give exact delivery time?

    A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.

    Hosszú leírás:

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices, Second Edition covers all aspects relating to the structural and electrical properties of HfO2 and its implementation into semiconductor devices. Fundamentals of ferroelectric and piezoelectric properties, HfO2 processes, and the impact of dopants on ferroelectric properties are extensively discussed, along with phase transition, switching kinetics, epitaxial growth, thickness scaling, and more. Additional chapters consider the modeling of ferroelectric phase transformation, structural characterization, and the differences and similarities between HfO2 and standard ferroelectric materials. Finally, HfO2-based devices are summarized.

    The new edition extends the first edition in the following areas: Detailed discussion of the causes and dependencies for ferroelectric properties; Broader coverage of all known deposition techniques; Comparison of ferroelectric with antiferroelectric, piezoelectric, and pyroelectric properties; More aspects on switching and field cycling behavior; Wider overview of simulation results; Further applications of new HfO2-based materials for energy storage, and pyroelectric, piezoelectric, and neuromorphic applications.

    Több

    Tartalomjegyzék:

    1. Fundamentals of Ferroelectric and Piezoelectric Properties
    2. Structures, Phase Equilibria, and Properties of HfO2
    3. Ferroelectricity in Doped HfO2: Causes and Dependencies
    4. Growth
    5. Simulation
    6. Polarization of Condensed Matter
    7. Electrical Behavior: Switching, Cycling, Retention
    8. Ferroelectric Hafnium Oxide-Based Applications

    Több
    Mostanában megtekintett
    previous
    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices

    Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices

    Schroeder, Uwe; Hwang, Cheol Seong; Funakubo, Hiroshi; (ed.)

    133 194 Ft

    next