• Kapcsolat

  • Hírlevél

  • Rólunk

  • Szállítási lehetőségek

  • Prospero könyvpiaci podcast

  • Hírek

  • Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Advanced Field-Effect Transistors by Yadav, Dharmendra Singh; Rahi, Shiromani Balmukund; Tirkey, Sukeshni;

    Theory and Applications

      • 20% KEDVEZMÉNY?

      • A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
      • Kiadói listaár GBP 135.00
      • Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

        64 496 Ft (61 425 Ft + 5% áfa)
      • Kedvezmény(ek) 20% (cc. 12 899 Ft off)
      • Kedvezményes ár 51 597 Ft (49 140 Ft + 5% áfa)

    64 496 Ft

    db

    Beszerezhetőség

    Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
    A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.

    Why don't you give exact delivery time?

    A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.

    A termék adatai:

    • Kiadás sorszáma 1
    • Kiadó CRC Press
    • Megjelenés dátuma 2023. december 22.

    • ISBN 9781032493800
    • Kötéstípus Keménykötés
    • Terjedelem306 oldal
    • Méret 234x156 mm
    • Súly 660 g
    • Nyelv angol
    • Illusztrációk 242 Illustrations, black & white; 6 Halftones, black & white; 236 Line drawings, black & white; 18 Tables, black & white
    • 522

    Kategóriák

    Rövid leírás:

    The book addresses the fundamental physics behind the operation of various FETs, as well as challenges and solutions with the FETs for the device to circuit level design and simulation. This book will provide an overview of new semiconductor devices and their applicability in electronic circuit design. 

    Több

    Hosszú leírás:

    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications offers a fresh perspective on the design and analysis of advanced field-effect transistor (FET) devices and their applications. The text emphasizes both fundamental and new paradigms that are essential for upcoming advancement in the field of transistors beyond complementary metal–oxide–semiconductors (CMOS). This book uses lucid, intuitive language to gradually increase the comprehension of readers about the key concepts of FETs, including their theory and applications.


    In order to improve readers’ learning opportunities, Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications presents a wide range of crucial topics:



    • Design and challenges in tunneling FETs

    • Various modeling approaches for FETs

    • Study of organic thin-film transistors

    • Biosensing applications of FETs

    • Implementation of memory and logic gates with FETs

    The advent of low-power semiconductor devices and related implications for upcoming technology nodes provide valuable insight into low-power devices and their applicability in wireless, biosensing, and circuit aspects. As a result, researchers are constantly looking for new semiconductor devices to meet consumer demand. This book gives more details about all aspects of the low-power technology, including ongoing and prospective circumstances with fundamentals of FET devices as well as sophisticated low-power applications.

    Több

    Tartalomjegyzék:

    1. Future Prospective beyond CMOS Technology: From Silicon-based devices to alternate devices. 2. Design and Challenges in Tunnel FET. 3. Modelling Approaches to Field Effect Transistor. 4. Dynamics of Trap States in Organic Thin-Film Transistors (OTFT’s). 5. An Insightful Study and Investigation of Tunnel FET and its Application in the Biosensing Domain. 6. Optimization of Hetero buried Oxide Pocket doped Gate engineered Tunnel FET structure. 7. Comprehensive Analysis of NC-L-TFET. 8. Thermal Behavior of Si-doped MoS2 based Step Structure DG-TFET. 9. Implementation of Logic gates using Step-Channel TFET. 10. CMOS-based SRAM with Odd Transistors Configuration: An Extensive Study. 11. Gate-All-Around Nanosheet FET device simulation methodology using Sentaurus TCAD. 12. Device Simulation process on TCAD

    Több
    Mostanában megtekintett
    previous
    20% %kedvezmény
    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Yadav, Dharmendra Singh; Rahi, Shiromani Balmukund; Tirkey, Sukeshni; (ed.)

    64 496 Ft

    51 597 Ft

    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Organizational Change and Innovation Processes: Theory and Methods for Research

    Poole, Marshall Scott; Van de Ven, Andrew H.; Dooley, Kevin;

    64 496 Ft

    58 047 Ft

    20% %kedvezmény
    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Teaching Gradually: Practical Pedagogy for Graduate Students, by Graduate Students

    Armstrong, Kacie L.; Genova, Lauren A.; Greenlee, John Wyatt;(ed.)

    69 273 Ft

    55 419 Ft

    20% %kedvezmény
    Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications

    Progress in Motor Control: Neural, Computational and Dynamic Approaches

    Richardson, Michael J.; Riley, Michael A.; Shockley, Kevin

    102 065 Ft

    81 652 Ft

    next