• Kapcsolat

  • Hírlevél

  • Rólunk

  • Szállítási lehetőségek

  • Prospero könyvpiaci podcast

  • Silicon Carbide Power Devices: Characteristics, Test and Application

    Silicon Carbide Power Devices by Gao, Yuan; Zhang, Yan;

    Characteristics, Test and Application

    Sorozatcím: CPSS Power Electronics Series;

      • 12% KEDVEZMÉNY?

      • A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
      • Kiadói listaár EUR 171.19
      • Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

        72 259 Ft (68 818 Ft + 5% áfa)
      • Kedvezmény(ek) 12% (cc. 8 671 Ft off)
      • Kedvezményes ár 63 588 Ft (60 560 Ft + 5% áfa)

    72 259 Ft

    db

    Beszerezhetőség

    Még nem jelent meg, de rendelhető. A megjelenéstől számított néhány héten belül megérkezik.

    Why don't you give exact delivery time?

    A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.

    A termék adatai:

    • Kiadó Springer Nature Singapore
    • Megjelenés dátuma 2025. október 15.
    • Kötetek száma 1 pieces, Book

    • ISBN 9789819634798
    • Kötéstípus Keménykötés
    • Terjedelem640 oldal
    • Méret 235x155 mm
    • Nyelv angol
    • Illusztrációk XXXVIII, 640 p. 615 illus., 546 illus. in color. Illustrations, black & white
    • 700

    Kategóriák

    Hosszú leírás:

    "

    This book provides comprehensive technical information on SiC power devices from multiple perspectives, covering topics from device research and development to system applications. Chapters 1 to 4 focus on the characteristics of SiC devices, initially outlining the limitations of Si power devices and explaining why SiC has superior properties at the material level. It then offers updates on the latest developments in the SiC industry chain and products innovations, along with a detailed discussion of the characteristics and specifications of SiC Diodes and MOSFETs. Chapters 5 and 6 zoom in on SiC device testing and evaluation techniques, including CP testing, FT testing, system application testing, reliability assessment, failure analysis, and double-pulse testing. Chapters 7 to 12 focus on SiC device application technology, addressing common challenges in real applications and providing solutions. This includes voltage spikes during turn-off, crosstalk, common-mode current, common-source inductance, and driver circuits, concluding with case studies of SiC device applications in various scenarios. The book can serve as a textbook for higher education and vocational training, as well as a reference material for engineers in the power semiconductor and electrical electronics industries. To make the book genuinely helpful for readers, the authors have invested significant effort in content and data selection. First, the chosen technical points come from real-world requirements in device R&D and applications. Second, the book emphasizes practicality while integrating cutting-edge developments, detailing research outcomes with industrial potential. Third, the book offers a wealth of data and waveforms, most of which are actual measurements, to bridge the gap between theory and practice. Lastly, extensive further reading materials are provided at the end of each chapter for broader and deeper exploration.

    "

    Több

    Tartalomjegyzék:

    Fundamentals of Power Semiconductor Devices.- SiC Diode Main Characteristics.- Interpretation, Testing, and Application of SiC MOSFET Parameters.- Comparison of SiC and Si Device Characteristics.- Double-Pulse Test.- SiC Device Testing and Failure Analysis Techniques.- High di/dt Effects and Countermeasures - Turn-off Voltage Overshoot.- Effects and Mitigation of High dv/dt - Crosstalk.- Impact and Countermeasures of High dv/dt - Common Mode Current.- Effects and Countermeasures of Common Source Inductance.- Drive Circuit.- Main Applications of SiC Devices.

    Több