Silicon Carbide
Materials, Processing & Devices
Sorozatcím: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattice;
-
20% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár GBP 220.00
-
111 342 Ft (106 040 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 20% (cc. 22 268 Ft off)
- Kedvezményes ár 89 074 Ft (84 832 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
111 342 Ft
Beszerezhetőség
Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 1
- Kiadó CRC Press
- Megjelenés dátuma 2003. október 30.
- ISBN 9781591690238
- Kötéstípus Keménykötés
- Terjedelem416 oldal
- Méret 229x152 mm
- Súly 703 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Rövid leírás:
Dr. Zhe Chuan Feng received his Ph.D. from the University of Pittsburgh. He has worked both within academia and industry on semiconductor growth, process, characterization, semiconductor devices, and lasers. He is currently a Senior Research Scientist at the School of Electrical & Computer Engineering at the Georgia Institute of Technology, focusing on widegap III-Nitrides, SiC and other compound semiconductors.
Dr. Jian H. Zhao received his Ph.D. in Electrical Engineering from Carnegie Mellon University in 1988 and joined Rutgers University in the same year. He is Professor and Director of SiCLAB and his research results have been summarized in more than 110 refereed papers and over 140 conference papers and presentations, as well as four book chapters and a book titled Optical Filter Design and Analysis: A Signal Processing Approach. He holds five patents.
Hosszú leírás:
This book will provide useful information to material growers and evaluators, device design and processing engineers as well as potential users of SiC technologies. This book will help identify remaining challenging issues to stimulate further investigation to realize the full potential of wide band gap SiC for optoelectronic and microelectronic applications.
TöbbTartalomjegyzék:
Preface
Chapter 1 Epitaxial growth of high-quality silicon carbide - Fundamentals and recent
progress -
-- T. Kimoto and H. Matsunami* (Kyoto University)
(1) Introduction
(2) Step-controlled Epitaxy of SiC
2.1 Chemical vapor deposition
2.2 Step-controlled epitaxy
2.3 Surface morphology
(3) Growth mechanism of step-controlled epitaxy
3.1 Rate-determining process
3.2 Off-angle dependence of growth rate
3.3 Temperature dependence of growth rate
3.4 Prediction of step-flow growth condition
3.4.1 Surface diffusion model
3.4.2 Desorption flux
3.4.3 Critical supersaturation ratio
3.4.4 Critical growth conditions
3.4.5 Surface diffusion length
3.4.6 Prediction of growth mode
(4) Behaviors of steps in SiC epitaxy
4.1 Nucleation and step motion
4.2 Step bunching
(5) Characterization of epitaxial layers
5.1 Structural characterization
5.2 Optical characterization
5.3 Electrical characterization
(6) Doping of impurities
6.1 Donor doping
6.2 Acceptor doping
(7) Recent progress
7.1 Practical epitaxial growth
7.2 Epitaxial growth on (11-20)
(8) Concludions
References
Chapter 2 Surface characterization of 6H-SiC reconstructions
-- Kian-Ping LOH, Eng-Soon TOK, and Andrew T. S. WEE*
(National University of Singapore)
1. INTRODUCTION
2. Sample preparation methods for characterization of surface reconstruction
3. Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)
3.1 RHEED system set-up
3.2 RHEED analysis of surface reconstruction on 6H-SiC (0001)
3.3 6H-SiC (0001)-(1&&&180;1) reconstruction
3.4 6H-SiC (0001)-(3&&&180;3) reconstruction
3.5 6H-SiC(0001)-(6&&&215;6) reconstruction
3.6 6H-SiC(0001)-(&&&214;3&&&180;&&&214;3R ) reconstruction
3.7 1&&&180;1 graphite-R on 1&&&180;1 SiC
3.8 RHEED Rocking beam analysis
4. Scanning Tunneling Microscopy (STM)
4.1 Surface Morphological Evolution of 6H-SiC(0001)
4.2 6H-SiC (0001)-(3&&&This book explores the history and latest developments in the SiC field, with an emphasis on the properties and applications of SiC to electronics and optoelectronics.
