Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon by Pichler, Peter;

Sorozatcím: Computational Microelectronics;

20% KEDVEZMÉNY?
A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.

Kiadói listaár EUR 320.99
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

133 130 Ft (126 791 Ft + 5% áfa)
Kedvezmény(ek) 20% (cc. 26 626 Ft off)
Kedvezményes ár 106 504 Ft (101 433 Ft + 5% áfa)

133 130 Ft

Beszerezhetőség

Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.

A termék adatai:

Kiadás sorszáma 2004
Kiadó Springer Vienna
Megjelenés dátuma 2004. június 2.
Kötetek száma 1 pieces, Book

ISBN 9783211206874
Kötéstípus Keménykötés
Lásd még 9783709172049
Terjedelem554 oldal
Méret 254x178 mm
Súly 1200 g
Nyelv angol
Illusztrációk XXI, 554 p. 40 illus. Illustrations, black & white

Kategóriák

Analitikai kémia Fizikai kémia Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar Folyadékok és szilárdtestek fizikája Analitikai kémia (karitatív célú kampány) Fizikai kémia (karitatív célú kampány) Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar (karitatív célú kampány) Folyadékok és szilárdtestek fizikája (karitatív célú kampány)

Hosszú leírás:

Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms, chalcogens, and halogens in silicon, as well as of their complexes. Special emphasis is placed on compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behavior from experimental and theoretical investigations. In addition, the book discusses the fundamental concepts of silicon and its defects, the electron system, diffusion, thermodynamics, and reaction kinetics which form the scientific basis needed for a thorough understanding of the text. Therefore, the book is able to provide an introduction to newcomers in this field up to a comprehensive reference for experts in process technology, solid-state physics, and simulation of semiconductor processes.

Több

Tartalomjegyzék:

Fundamental Concepts.- 1.1 Silicon and Its Imperfections.- 1.2 The Electron System.- 1.3 Phenomenological and Atomistic Approaches to Diffusion.- 1.4 Thermodynamics.- 1.5 Reaction Kinetics.- 1.6 Exchange of Matter Between Phases.- 2 Intrinsic Point Defects.- 2.1 Concentration in Thermal Equilibrium.- 2.2 Diffusion of Intrinsic Point Defects.- 2.3 Self-Diffusion and Tracer Diffusion.- 2.4 Vacancies.- 2.5 Self-Interstitials.- 2.6 Frenkel Pairs.- 2.7 Bulk Recombination and Bulk Processes.- 2.8 Surface Recombination and Surface Processes.- 2.9 Initial Conditions.- 3 Impurity Diffusion in Silicon.- 3.1 Basic Mechanisms.- 3.2 Impurity-Point-Defect Pairs.- 3.3 Diffusion of Substitutional Impurities via Mobile Complexes with Intrinsic Point Defects.- 3.4 Pair-Diffusion Models.- 3.5 Frank-Turnbull Mechanism.- 3.6 Kick-Out Mechanism.- 4 Isovalent Impurities.- 4.1 Carbon.- 4.2 Germanium.- 4.3 Tin.- 5 Dopants.- 5.1 Dopant Clusters.- 5.2 Ion Pairing.- 5.3 Boron.- 5.4 Aluminum.- 5.5 Gallium.- 5.6 Indium.- 5.7 Nitrogen.- 5.8 Phosphorus.- 5.9 Arsenic.- 5.10 Antimony.- 6 Chalcogens.- 6.1 Oxygen.- 6.2 Sulfur.- 6.3 Selenium.- 6.4 Tellurium.- 7 Halogens.- 7.1 Fluorine.- 7.2 Chlorine.- 7.3 Bromine.- List of Tables.- List of Figures.

Több

Mostanában megtekintett