Heteroepitaxial Growth of III-Vs Epilayer on Si Substrate by AP-MOCVD
Fundamental Epitaxy Research
-
5% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár EUR 49.00
-
20 322 Ft (19 355 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 5% (cc. 1 016 Ft off)
- Kedvezményes ár 19 307 Ft (18 387 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
20 322 Ft
Beszerezhetőség
Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadó VDM Verlag Dr. Müller
- Megjelenés dátuma 2008. január 1.
- ISBN 9783836487818
- Kötéstípus Puhakötés
- Terjedelem112 oldal
- Méret 7x150x220 mm
- Súly 183 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Hosszú leírás:
The III-V compound semiconductor is always relatively popular material due to its many interesting optical and electrical properties. On the other hand, there has been a longest evolution history of Si in the current semiconductor industries, a defect-free silicon material can be achieved technologically. The silicon material has many merits that can not be found in III-Vs, such as good heat dissipation capability, strong and not easy to crack, and the material can be purchased easily, etc. Otherwise, if the substrate used now can be replaced by the silicon, then the cost of substrate material will be largely reduced. In other words, these advantages of Si substrates can open up applications of III-Vs, such as OEIC, solar cells, and light emission/detection devices, etc.
Therefore, in this book, the heteroepitaxial growth of III-V compound semiconductors on Si substrate by atmospheric-pressure metal-organic chemical vapor deposition (AP-MOCVD) is reported. The investigations are focused on the growth of three typical monocrystalline materials including GaAs, GaN and InN. Besides, the fabrication of two polycrystalline films of GaN and TiN will also be described.
