Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs) by Huang, Jian-Jang; Kuo, Hao-Chung; Shen, Shyh-Chiang;

Materials, Technologies, and Applications

Sorozatcím: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials;

20% KEDVEZMÉNY?
A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.

Kiadói listaár EUR 305.00
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

126 498 Ft (120 475 Ft + 5% áfa)
Kedvezmény(ek) 20% (cc. 25 300 Ft off)
Kedvezményes ár 101 199 Ft (96 380 Ft + 5% áfa)

126 498 Ft

Beszerezhetőség

Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.

A termék adatai:

Kiadás sorszáma 2
Kiadó Elsevier Science
Megjelenés dátuma 2017. október 24.

ISBN 9780081019429
Kötéstípus Puhakötés
Terjedelem822 oldal
Méret 228x152 mm
Súly 1310 g
Nyelv angol

Kategóriák

A mérnöki tudományok általános kérdései Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar Gépészmérnöki tudományok Üzemmérnöki tudományok A mérnöki tudományok általános kérdései (karitatív célú kampány) Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar (karitatív célú kampány) Gépészmérnöki tudományok (karitatív célú kampány) Üzemmérnöki tudományok (karitatív célú kampány)

Hosszú leírás:

Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs): Materials, Technologies, and Applications, Second Edition reviews the fabrication, performance and applications of the technology, encompassing the state-of-the-art material and device development, along with considerations regarding nitride-based LED design. This updated edition is based on the latest research and advances, including two new chapters on LEDs for large displays and laser lighting. Chapters cover molecular beam epitaxy (MBE) growth of nitride semiconductors, modern metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) techniques, the growth of nitride-based materials, and gallium nitride (GaN)-on-sapphire and GaN-on-silicon technologies for LEDs. Nanostructured, non-polar and semi-polar nitride-based LEDs, as well as phosphor-coated nitride LEDs, are also discussed.

The book also addresses the performance of nitride LEDs, including photonic crystal LEDs, surface plasmon enhanced LEDs, color tuneable LEDs, and LEDs based on quantum wells and quantum dots. Further chapters discuss the development of LED encapsulation technology and fundamental efficiency droop issues in gallium indium nitride (GaInN) LEDs.

It is a technical resource for academics, physicists, materials scientists, electrical engineers, and those working in the lighting, consumer electronics, automotive, aviation, and communications sectors.

Több

Tartalomjegyzék:

Part One Materials and fabrication
1. Molecular beam epitaxy (MBE) growth of nitride semiconductors
2. MOCVD growth of nitride semiconductors
3. GaN on sapphire substrates for visible light-emitting diodes
4. Gallium nitride (GaN) on silicon substrates for LEDs
5. Phosphors for white LEDs
6. Recent development of fabrication technologies of nitride LEDs for performance improvement
7. Nanostructured LED
8. Nonpolar and semipolar LEDs

Part Two Performance of nitride LEDs
9. Efficiency droop in GaInN/GaN LEDs
10. Photonic crystal nitride LEDs
11. Nitride LEDs based on quantum wells and quantum dots
12. Colour tuneable LEDs and pixelated micro-LED arrays
13. Reliability of nitride LEDs
14. Physical mechanisms limiting the performance and the reliability of GaN-based LEDs
15. Chip packaging: encapsulation of nitride LEDs

Part Three Applications of nitride LEDs
16. White LEDs for lighting applications
17. Ultraviolet LEDs
18. Infrared emitters using III-nitride semiconductors
19. LEDs for liquid crystal display (LCD) backlighting
20. LEDs and automotive lighting applications
21. LEDs for large displays
22. LEDs for projectors

Több

Mostanában megtekintett