• Kapcsolat

  • Hírlevél

  • Rólunk

  • Szállítási lehetőségek

  • Prospero könyvpiaci podcast

  • Semiconductor Process Reliability in Practice

    Semiconductor Process Reliability in Practice by Gan, Zhenghao; Wong, Waisum; Liou, Juin;

    Sorozatcím: ELECTRONICS;

      • 10% KEDVEZMÉNY?

      • A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
      • Kiadói listaár GBP 147.99
      • Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

        70 702 Ft (67 335 Ft + 5% áfa)
      • Kedvezmény(ek) 10% (cc. 7 070 Ft off)
      • Kedvezményes ár 63 632 Ft (60 602 Ft + 5% áfa)

    70 702 Ft

    db

    Beszerezhetőség

    Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.

    Why don't you give exact delivery time?

    A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.

    A termék adatai:

    • Kiadó McGraw Hill
    • Megjelenés dátuma 2012. november 16.

    • ISBN 9780071754279
    • Kötéstípus Keménykötés
    • Terjedelem624 oldal
    • Méret 236x162x38 mm
    • Súly 987 g
    • Nyelv angol
    • 0

    Kategóriák

    Rövid leírás:

    Filled with practical examples, this is a comprehensive reference on process reliability for semiconductor process and design engineers.

    Több

    Hosszú leírás:

    Publisher's Note: Products purchased from Third Party sellers are not guaranteed by the publisher for quality, authenticity, or access to any online entitlements included with the product.


    Proven processes for ensuring semiconductor device reliability

    Co-written by experts in the field, Semiconductor Process Reliability in Practice contains detailed descriptions and analyses of reliability and qualification for semiconductor device manufacturing and discusses the underlying physics and theory. The book covers initial specification definition, test structure design, analysis of test structure data, and final qualification of the process. Real-world examples of test structure designs to qualify front-end-of-line devices and back-end-of-line interconnects are provided in this practical, comprehensive guide.

    Coverage includes:

    • Basic device physics
    • Process flow for MOS manufacturing
    • Measurements useful for device reliability characterization
    • Hot carrier injection
    • Gate-oxide integrity (GOI) and time-dependentdielectric breakdown (TDDB)
    • Negative bias temperature instability
    • Plasma-induced damage
    • Electrostatic discharge protection of integrated circuits
    • Electromigration
    • Stress migration
    • Intermetal dielectric breakdown



    Publisher's Note: Products purchased from Third Party sellers are not guaranteed by the publisher for quality, authenticity, or access to any online entitlements included with the product.


    Proven processes for ensuring semiconductor device reliability

    Co-written by experts in the field, Semiconductor Process Reliability in Practice contains detailed descriptions and analyses of reliability and qualification for semiconductor device manufacturing and discusses the underlying physics and theory. The book covers initial specification definition, test structure design, analysis of test structure data, and final qualification of the process. Real-world examples of test structure designs to qualify front-end-of-line devices and back-end-of-line interconnects are provided in this practical, comprehensive guide.

    Coverage includes:

    • Basic device physics
    • Process flow for MOS manufacturing
    • Measurements useful for device reliability characterization
    • Hot carrier injection
    • Gate-oxide integrity (GOI) and time-dependentdielectric breakdown (TDDB)
    • Negative bias temperature instability
    • Plasma-induced damage
    • Electrostatic discharge protection of integrated circuits
    • Electromigration
    • Stress migration
    • Intermetal dielectric breakdown

    Több

    Tartalomjegyzék:

    Filled with practical examples, this is a comprehensive reference on process reliability for semiconductor process and design engineers.

    Több
    0