• Kapcsolat

  • Hírlevél

  • Rólunk

  • Szállítási lehetőségek

  • Prospero könyvpiaci podcast

  • Low-Dimensional Nitride Semiconductors

    Low-Dimensional Nitride Semiconductors by Gil, Bernard;

    Sorozatcím: Series on Semiconductor Science and Technology; 9;

      • 10% KEDVEZMÉNY?

      • A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
      • Kiadói listaár GBP 187.50
      • Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

        89 578 Ft (85 312 Ft + 5% áfa)
      • Kedvezmény(ek) 10% (cc. 8 958 Ft off)
      • Kedvezményes ár 80 620 Ft (76 781 Ft + 5% áfa)

    89 578 Ft

    db

    Beszerezhetőség

    Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.

    Why don't you give exact delivery time?

    A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.

    A termék adatai:

    • Kiadó OUP Oxford
    • Megjelenés dátuma 2002. június 20.

    • ISBN 9780198509745
    • Kötéstípus Keménykötés
    • Terjedelem486 oldal
    • Méret 241x163x31 mm
    • Súly 977 g
    • Nyelv angol
    • Illusztrációk numerous line drawings and halftones
    • 0

    Kategóriák

    Rövid leírás:

    Optoelectronics and electronics are likely to change dramatically in the future. This text, written by topmost international researchers, is dedicated to low-dimensional nitride semiconductors, and provides the key to modern electronics, opto-electronics, and nanotechnology. Low-Dimensional Nitride Semiconductors explores why nitride semiconductors are so promising over such a wide range of applications, what the current issues are in the research laboratories, and what the prospects of new electronic devices are in the dawn of the twenty-first century. Published in the Series on Semiconductor Science and Technology, with 'Group III Nitride Semiconductor Compounds' (OUP 1998).

    Több

    Hosszú leírás:

    Optoelectronics and electronics of the years to come are likely to change dramatically. Most of the outdoor lighting systems will be replaced by light-emitting diodes that operate in the whole visible part of the electromagnetic spectrum. Transistors operating at high frequency and with high power are under development and likely to hit the market very rapidly. Compact solid state lasers that operate in the near-ultraviolet range are going to be utilized for such widely used applications as read-write tasks in printers and CD drives. Ultraviolet detectors will be used at a wide scale for many applications, ranging from flame detectors to medical instruments. This book concerns itself with the questions why nitride semiconductors are so promising over such a wide range of applications, what the current issues are in the research laboratories, and what the prospects of new electronic devices are in the dawn of the twenty first century.

    For the immediate future this volume will serve very well those who need to gain insights into specific aspects of nitride materials physics. The dynamic range of the contributions should ensure that most interested readers will find a viewpoint that coincides with their own requirements.

    Több

    Tartalomjegyzék:

    Gallium nitride or The history of a scientific explosion driven by applications and markets
    Nitrides as seen by a theorist
    The homoepitaxial challenge for low-dimensional nitrides
    HVPE - GaN quasi-substrates for nitride device structures
    Growth optimization of low-dimensional nitrides by metalorganic vapor phase epitaxy and dislocation control
    The growth of low-dimensional nitrides by molecular beam epitaxy
    Topological defects and low-dimensional nitride layers
    Excitons in GaN-based low-dimensional systems
    Indium gallium nitride
    The optical properties of InGaN-based quantum wells and quantum dots
    Electron-phonon interactions in GaN and its low-dimensional structures
    Low-dimensional nitrides: A laboratory for ultrafast physics
    Opto-electronic devices based on low-dimensional nitride heterostructures
    GaN-based modulation doped FETs
    Mixed III-V-N semiconductors: A challenge for tomorrow?

    Több
    0