Ion Implantation and Annealing Applications, Science and Technology by Lerch, Wilfried; Current, Michael;

Contributions from IIT School, Edition 2024

Sorozatcím: Topics in Applied Physics;

12% KEDVEZMÉNY?

Kiadói listaár EUR 246.09
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.

96 122 Ft (91 545 Ft + 5% áfa)
Kedvezmény(ek) 12% (cc. 11 535 Ft off)
Kedvezményes ár 84 588 Ft (80 560 Ft + 5% áfa)

84 588 Ft

Beszerezhetőség

Még nem jelent meg, de rendelhető. A megjelenéstől számított néhány héten belül megérkezik.

A termék adatai:

Kiadó Springer Nature Switzerland
Megjelenés dátuma 2026. június 9.

ISBN 9783032100078
Kötéstípus Keménykötés
Terjedelem628 oldal
Méret 235x155 mm
Nyelv angol
Illusztrációk XII, 628 p. 428 illus., 80 illus. in color.

Kategóriák

Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar Folyadékok és szilárdtestek fizikája Villamosmérnöki tudományok, híradástechnika, műszeripar (karitatív célú kampány) Folyadékok és szilárdtestek fizikája (karitatív célú kampány)

Hosszú leírás:

This book compiles the insights and teachings from the 2024 IIT School lectures, offering a comprehensive look at ion implantation and annealing in semiconductor manufacturing. It covers the history of integrated circuits, common applications in CMOS technology, ion sources, radiation damage, annealing of materials like silicon (Si), silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), and advances in cluster ion beam technology. This edition, enriched by expert contributions, serves as an essential reference for students and professionals in materials science and microelectronics.

Több

Tartalomjegyzék:

Chapter 1: History of Integrated Circuits and Ion Implantation.- Chapter 2: Common Applications of Ion Implantation in CMOS Process Technology.- Chapter 3: Commercial Ion Implantation Systems.- Chapter 4: Ion Sources.- Chapter 5: Radiation Damage of Silicon.- Chapter 6: Annealing of Radiation Damage in Silicon and Silicon.-Chapter 7: New Advancement in Ion Implantation Annealing for Si, Ge, SiC and GaN.- Chapter 8: Cluster Ion Beam: History and Technology.- Chapter 9: Ion Transport and Implant Control.- Chapter 10: Ion Beam Purity and Wafer Contamination.- Chapter 11: Safety Considerations for Ion Implanters.- Chapter 12: Power Devices and New Base Materials.- Chapter 13: Special Applications of Ion Implantation in CMOS Process Technology.