Laboratory Explorations to Accompany Microelectronic Circuits,
Sorozatcím: The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering;
-
10% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár GBP 16.99
-
8 116 Ft (7 730 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 10% (cc. 812 Ft off)
- Kedvezményes ár 7 305 Ft (6 957 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
8 116 Ft
Beszerezhetőség
Bizonytalan a beszerezhetőség. Érdemes még egyszer keresni szerzővel és címmel. Ha nem talál másik, kapható kiadást, forduljon ügyfélszolgálatunkhoz!
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 6
- Kiadó OUP USA
- Megjelenés dátuma 2013. november 1.
- ISBN 9780195378733
- Kötéstípus Puhakötés
- Terjedelem112 oldal
- Méret 254x203 mm
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Rövid leírás:
Designed to accompany Microelectronic Circuits by Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith, Laboratory Explorations invites students to explore the realm of real-world engineering through practical, hands-on experiments.
TöbbHosszú leírás:
Designed to accompany Microelectronic Circuits by Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith, Laboratory Explorations invites students to explore the realm of real-world engineering through practical, hands-on experiments.
Taking a "learn-by-doing" approach, it presents labs that focus on the development of practical engineering skills and design practices. Experiments start from concepts and hand analysis, and include simulation, measurement, and post-measurement discussion components.
A complete solutions manual is available to adopting instructors.
~~~~~~~~~~~~~~~~~
FEATURES
* Includes clear and concise experiments of varying levels of difficulty
* Challenging "Extra Exploration" sections follow each experiment
* Each experiment is conveniently designed to fit into a 2- or 3-hour lab period and can be completed using minimal equipment
* Also compatible with National Instrument's myDAQ, giving students the opportunity to complete assignments outside of the traditional lab environment
~~~~~~~~~~~~~~~~~
PACKAGING OPTIONS
Bundle Laboratory Explorations with Microelectronic Circuits, Sixth Edition, for great savings! Speak to your Oxford University Press sales representative for more information.
PACKAGE 1
Laboratory Explorations + Microelectronic Circuits, 6E
Package ISBN: 978-0-19-932924-3
PACKAGE 2
Laboratory Explorations + Microelectronic Circuits, 6E + FREE Added Problems Supplement
Package ISBN: 978-0-19-932923-6
Tartalomjegyzék:
1. List of Experiments
All references are to Microelectronic Circuits, Sixth Edition, by Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith
Chapter 2: Operational Amplifiers
Lab 2.1: Inverting Configuration (
2.2 p. 58 S&S)
Lab 2.2: Non-Inverting Configuration (
2.3 p. 67 S&S)
Lab 2.3: Difference Amplifier (
2.4 p. 71 S&S)
Lab 2.4: Instrumentation Amplifier (
2.4.2 p. 76 S&S)
Lab 2.5: Lossy Integrator (
2.5.1-2.5.2 p. 80 S&S)
Lab 2.6: Lossy Differentiator (
2.5.3 p. 87 S&S)
Chapter 4: Diodes
Lab 4.1: Diode I-V Transfer Curve (
4.2 p. 173 S&S)
Lab 4.2: Fun with Diodes I: Rectifiers (
4.5 p. 194 S&S)
Lab 4.3: Fun with Diodes II: Limiting and Clamping Circuits (
4.6 p. 207 S&S)
Chapter 5: MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs)
Lab 5.1: NMOS I-V Characteristics (
5.1-5.2 p. 232 S&S)
Lab 5.2: PMOS I-V Characteristics (
5.1-5.2 p. 232 S&S)
Lab 5.3: NMOS at DC (
5.3 p. 258 S&S)
Lab 5.4: PMOS at DC (
5.3 p. 258 S&S)
Lab 5.5: NMOS Common-Source Amplifier (
5.8.2 p. 316 S&S)
Lab 5.6: PMOS Common-Source Amplifier (
5.8.2 p. 316 S&S)
Lab 5.7: NMOS Common-Source Amplifier with Source Degeneration (
5.8.3 p. 318 S&S)
Lab 5.8: PMOS Common-Source Amplifier with Source Degeneration (
5.8.3 p. 318 S&S)
Lab 5.9: NMOS Common-Gate Amplifier (
5.8.4 p. 318 S&S)
Lab 5.10: PMOS Common-Gate Amplifier (
5.8.4 p. 318 S&S)
Lab 5.11: NMOS Source Follower (
5.8.5 p. 321 S&S)
Lab 5.12: PMOS Source Follower (
5.8.5 p. 321 S&S)
Chapter 6: Bipolar Junction Transistors (BJTs)
Lab 6.1: NPN I-V Characteristics (
6.1-6.2 p. 352 S&S)
Lab 6.2: PNP I-V Characteristics (
6.1-6.2 p. 352 S&S)
Lab 6.3: NPN at DC (
6.3 p. 378 S&S)
Lab 6.4: PNP at DC (
6.3 p. 378 S&S)
Lab 6.5: NPN Common-Emitter Amplifier (
6.8.2 p. 455 S&S)
Lab 6.6: PNP Common-Emitter Amplifier (
6.8.2 p. 455 S&S)
Lab 6.7: NPN Common-Emitter Amplifier with Emitter Degeneration (
6.8.3 p. 457 S&S)
Lab 6.8: PNP Common-Emitter Amplifier with Emitter Degeneration (
6.8.3 p. 457 S&S)
Lab 6.9: NPN Common-Base Amplifier (
6.8.4 p. 459 S&S)
Lab 6.10: PNP Common-Base Amplifier (
6.8.4 p. 459 S&S)
Lab 6.11: NPN Emitter Follower (
6.8.5 p. 460 S&S)
Lab 6.12: PNP Emitter Follower (
6.8.5 p. 460 S&S)
Lab 6.13: NMOS vs. NPN: Common-Source/Common-Emitter Amplifier Comparison
