Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997
Proceedings of the seventh conference on Defect Recognition and Image Processing, Berlin, September 1997
Sorozatcím: Institute of Physics Conference Series; 160;
-
20% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár GBP 290.00
-
146 769 Ft (139 780 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 20% (cc. 29 354 Ft off)
- Kedvezményes ár 117 415 Ft (111 824 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
146 769 Ft
Beszerezhetőség
Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 1
- Kiadó CRC Press
- Megjelenés dátuma 1998. január 1.
- ISBN 9780750305006
- Kötéstípus Keménykötés
- Terjedelem524 oldal
- Méret 234x156 mm
- Súly 975 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Rövid leírás:
This book provides a valuable overview of current techniques used to assess, monitor, and characterize defects from the atomic scale to inhomogeneities in complete silicon wafers. It addresses advances in defect analyzing techniques and instrumentation and their application to substrates, epilayers, and devices. The book discusses the merits and limits of characterization techniques; standardization; correlations between defects and device performance, including degradation and failure analysis; and the adaptation and application of standard characterization techniques to new materials. This volume also examines the impressive advances made possible by the increase in the number of nanoscale scanning techniques now available.
TöbbHosszú leírás:
Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997 provides a valuable overview of current techniques used to assess, monitor, and characterize defects from the atomic scale to inhomogeneities in complete silicon wafers. This volume addresses advances in defect analyzing techniques and instrumentation and their application to substrates, epilayers, and devices. The book discusses the merits and limits of characterization techniques; standardization; correlations between defects and device performance, including degradation and failure analysis; and the adaptation and application of standard characterization techniques to new materials. It also examines the impressive advances made possible by the increase in the number of nanoscale scanning techniques now available. The book investigates defects in layers and devices, and examines the problems that have arisen in characterizing gallium nitride and silicon carbide.
listed in SPIE-OE Reports No 174, 1998
listed in Scitech Book News, September 1998
Abstracted in INSPEC Database.
in SPIE-OE Reports No 174, 1998
listed in Scitech Book News, September 1998
Abstracted in INSPEC Database.
Tartalomjegyzék:
Preface. Glossary. Nanoscanning (9 papers). Electron beam methods (9 papers). Optical methods (8 papers). Mapping (10 papers). X-ray methods (4 papers). Other and combined methods (8 papers). Image processing. Standardization. Si and SiGe mixed crystals (15 papers). SiC (3 papers). GaN (6 papers). Other III-V compounds (12 papers). II-VI compounds, phosphors, oxides and alternative substrates (4 papers). Processing and defects (3 papers). Defect recognition in devices and degradation (11 papers). Author and subject indices.
Több
