
Beyond the Desert 99
Accelerator, Non-accelerator and Space Approaches into the Next Millennium, Second International Conference on Particle Physics Beyond the Standard Model, Castle Ringberg, Germany, 6-12 June 1999
-
20% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár GBP 650.00
-
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 20% (cc. 65 793 Ft off)
- Kedvezményes ár 263 172 Ft (250 640 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
328 965 Ft
Beszerezhetőség
Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 1
- Kiadó CRC Press
- Megjelenés dátuma 2000. január 1.
- ISBN 9780750307314
- Kötéstípus Keménykötés
- Terjedelem1268 oldal
- Méret 234x156 mm
- Súly 2063 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Rövid leírás:
Addressing the need for an up-to-date reference on silicon devices and heterostructures, Beyond the Desert 99 reviews the technology used to grow and characterize Goup IV alloy films. It covers the theory, device design, and simulation of heterojunction transistors, emphasizing their relevance in developing the technologies involving strained layers; device design and simulation of conventional silicon bipolar transistors and SiGe HBTs at room and low temperatures; and device design and simulation for MOSFETs, including SiGe and strained-Si channel MOSFETs. The book concludes with simulations and examples of different applications.
TöbbHosszú leírás:
Addressing the need for an up-to-date reference on silicon devices and heterostructures, Beyond the Desert 99 reviews the technology used to grow and characterize Goup IV alloy films. It covers the theory, device design, and simulation of heterojunction transistors, emphasizing their relevance in developing the technologies involving strained layers; device design and simulation of conventional silicon bipolar transistors and SiGe HBTs at room and low temperatures; and device design and simulation for MOSFETs, including SiGe and strained-Si channel MOSFETs. The book concludes with simulations and examples of different applications. It provides a unified reference for scientists and engineers investigating the use of SiGe and strained silicon in a new generation of high-speed circuit applications.
TöbbTartalomjegyzék:
Introduction. Group IV alloy layers: growth and characterization. HBT principles. Model formulation. HBT: Device design and simulation. Strained-Si heterostructure FETs. Device design and simulation. Simulation applications: examples. SiGe HBT applications. Index.
Több