Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Sorozatcím: Series in Optics and Optoelectronics; 0;
-
20% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár GBP 260.00
-
131 586 Ft (125 320 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 20% (cc. 26 317 Ft off)
- Kedvezményes ár 105 269 Ft (100 256 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
131 586 Ft
Beszerezhetőség
Becsült beszerzési idő: A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron, de a kiadónál igen. Beszerzés kb. 3-5 hét..
A Prosperónál jelenleg nincsen raktáron.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 1
- Kiadó CRC Press
- Megjelenés dátuma 2001. július 20.
- ISBN 9780750307239
- Kötéstípus Keménykötés
- Terjedelem414 oldal
- Méret 234x156 mm
- Súly 839 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Rövid leírás:
Combining technology, device design and simulation, and applications, this book is the first to deal with the design and optimization of transistors made from strained layers. Topics include background theory of the HBT, device simulation that predicts the optimum HBT device structure for a particular application, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and the enhancement of the high-frequency performance of HFETs using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace.
TöbbHosszú leírás:
The first book to deal with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, and applications-in a comprehensive way. Important aspects of the book include key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and strategies for the enhancement of the high-frequency performance of heterojunction field effect transistors (HFETs) using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace.
"The authors have certainly identified a gap in the literature ? Overall, the book is very informative and provides a strong foundation for work in this active research area."
-K. Alan Shore, Optics and Photonics News
Tartalomjegyzék:
Introduction. Film Growth and Material Parameters. Principles of SiGe-HBTs. Design of SiGe-HBTs. Simulation of SiGe-HBTs. Strained-Si Heterostructure FETs. SiGe Heterostructure Schottky Diodes. SiGe Optoelectronic Devices. RF Applications of SiGe-HBTs
Több
