Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology
Sorozatcím: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials;
-
10% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár EUR 200.00
-
82 950 Ft (79 000 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 10% (cc. 8 295 Ft off)
- Kedvezményes ár 74 655 Ft (71 100 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
82 950 Ft
Beszerezhetőség
Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadás sorszáma 2
- Kiadó Elsevier Science
- Megjelenés dátuma 2019. június 18.
- ISBN 9780081025840
- Kötéstípus Puhakötés
- Terjedelem662 oldal
- Méret 228x152 mm
- Súly 1170 g
- Nyelv angol 0
Kategóriák
Hosszú leírás:
Advances in Nonvolatile Memory and Storage Technology, Second Edition, addresses recent developments in the non-volatile memory spectrum, from fundamental understanding, to technological aspects. The book provides up-to-date information on the current memory technologies as related by leading experts in both academia and industry. To reflect the rapidly changing field, many new chapters have been included to feature the latest in RRAM technology, STT-RAM, memristors and more. The new edition describes the emerging technologies including oxide-based ferroelectric memories, MRAM technologies, and 3D memory. Finally, to further widen the discussion on the applications space, neuromorphic computing aspects have been included.
This book is a key resource for postgraduate students and academic researchers in physics, materials science and electrical engineering. In addition, it will be a valuable tool for research and development managers concerned with electronics, semiconductors, nanotechnology, solid-state memories, magnetic materials, organic materials and portable electronic devices.
TöbbTartalomjegyzék:
Part 1: Progress in nonvolatile memory research and application
1. OxRAM technology development and performances
2. Metal-oxide resistive random access memory (RRAM) technology: Material and operation details and ramifications
3. Advanced modeling and characterization techniques for innovative memory devices: The RRAM case
4. Mechanism of memristive switching in OxRAM
5. Interface effects on memristive devices
6. Spin-orbit torque magnetoresistive random-access memory (SOT-MRAM)
7. Spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM) technology
8. 3D-NAND Flash memory and technology
9. Advances in oxide-based conductive bridge memory (CBRAM) technology for computing systems
10. Selector devices for x-point memory
Part 2: Emerging opportunities
11. Ferroelectric memories
12. Advances in nanowire PCM
13. Flexible and transparent ReRAM devices for system on panel (SOP) application
14. RRAM/memristor for computing
15. Emerging memory technologies for neuromorphic hardware
16. Neuromorphic computing with resistive switching memory devices
