Investigation of new approaches
for the realization of InGaN based solar cells
-
5% KEDVEZMÉNY?
- A kedvezmény csak az 'Értesítés a kedvenc témákról' hírlevelünk címzettjeinek rendeléseire érvényes.
- Kiadói listaár EUR 61.90
-
25 673 Ft (24 450 Ft + 5% áfa)
Az ár azért becsült, mert a rendelés pillanatában nem lehet pontosan tudni, hogy a beérkezéskor milyen lesz a forint árfolyama az adott termék eredeti devizájához képest. Ha a forint romlana, kissé többet, ha javulna, kissé kevesebbet kell majd fizetnie.
- Kedvezmény(ek) 5% (cc. 1 284 Ft off)
- Kedvezményes ár 24 389 Ft (23 228 Ft + 5% áfa)
Iratkozzon fel most és részesüljön kedvezőbb árainkból!
Feliratkozom
25 673 Ft
Beszerezhetőség
Megrendelésre a kiadó utánnyomja a könyvet. Rendelhető, de a szokásosnál kicsit lassabban érkezik meg.
Why don't you give exact delivery time?
A beszerzés időigényét az eddigi tapasztalatokra alapozva adjuk meg. Azért becsült, mert a terméket külföldről hozzuk be, így a kiadó kiszolgálásának pillanatnyi gyorsaságától is függ. A megadottnál gyorsabb és lassabb szállítás is elképzelhető, de mindent megteszünk, hogy Ön a lehető leghamarabb jusson hozzá a termékhez.
A termék adatai:
- Kiadó LAP Lambert Academic Publishing
- Megjelenés dátuma 2021. január 1.
- ISBN 9786203579895
- Kötéstípus Puhakötés
- Terjedelem140 oldal
- Méret 220x150 mm
- Nyelv angol 125
Kategóriák
Hosszú leírás:
The objective of this study is to investigate new approaches that may overcome the issuesof phase separation and high dislocation density in InxGa1-xN materials with high indiumconcentration, for the realization of high efficiency InxGa1-xN based solar cells.Two novel approaches are proposed that may overcome the basic challenges involvedin the InxGa1-xN heterojunction solar cells. The first approach consists in the growthof a thick multi-layered InGaN/GaN absorber, called Semibuk approach. These GaNinterlayers need to be thick enough to be effective and thin enough to allow carrier trans-port through tunneling. The InxGa1-xN layers need to be thick and numerous enoughto absorb efficiently the incoming light beam, and thin enough to remain fully strainedand without phase separation. The second approach consists in the growth of InxGa1-xNnano-structures for the achievement of high indium content thick InxGa1-xN layers. Itallows the elimination of the preexisting dislocations in the underlying template. It alsoallows strain relaxation of InxGa1-xN layers without any dislocations, leading to higherindium incorporation and reduced piezoelectric effect.
The objective of this study is to investigate new approaches that may overcome the issuesof phase separation and high dislocation density in InxGa1-xN materials with high indiumconcentration, for the realization of high efficiency InxGa1-xN based solar cells.Two novel approaches are proposed that may overcome the basic challenges involvedin the InxGa1-xN heterojunction solar cells. The first approach consists in the growthof a thick multi-layered InGaN/GaN absorber, called Semibuk approach. These GaNinterlayers need to be thick enough to be effective and thin enough to allow carrier trans-port through tunneling. The InxGa1-xN layers need to be thick and numerous enoughto absorb efficiently the incoming light beam, and thin enough to remain fully strainedand without phase separation. The second approach consists in the growth of InxGa1-xNnano-structures for the achievement of high indium content thick InxGa1-xN layers. Itallows the elimination of the preexisting dislocations in the underlying template. It alsoallows strain relaxation of InxGa1-xN layers without any dislocations, leading to higherindium incorporation and reduced piezoelectric effect.
